Na Hot Chips 33 konferenciji, prezentiran je Samsungov plan rada na DDR5 memorijskom modulu, koji tvrtka opisuje kao prvi takve vrste u industriji.
Radi se o DDR5 modulu takta 7200 MHz i kapaciteta 512 GB. Ukratko, 40% veće performanse s dvostrukim kapacitetom pri naponu od samo 1,1 V.
Također su poznati i detalji konstruiranja ovog memorijskog modula. Tvrtka je DDR5-7200 memorijski modul izgradila od 8-složnih DDR5 matrica povezanih TSV tehnologijom (u odnosu na DDR4 modul, koji je ograničen na 4 matrice).
Unatoč gušćem dizajnu, novi DDR5 moduli mjere debljinu od 1 mm, a zahvaljujući tehnici rukovanja tankim vaferima, Samsung je uspio smanjiti razmake između matrica za 40%.
Samsung je u DDR5 modul implementirao SBR (Same-Bank-Refresh), kôd za ispravljanje grešaka (ODECC) i novi DFE ekvilajzer, poboljšavajući stabilnost signala.
Sve to dovodi do povećanje performansi DRAM sabirnice za 10% pri samo 1,1 V. Tako nizak napon je moguć zahvaljujući: integriranom čipu za upravljanje napajanjem (PMIC), regulatoru napona i High-K Metal gate. No, Samsung naglašava da je PMIC glavni, jer ne samo da doprinosi radu niskog napona, već je i smanjio buku u procesu.
Samsung očekuje da će masovna proizvodnja 512 GB DDR4-7200 memorijskih modula započeti krajem 2021. godine, ali vjeruje da će DDR5 na glavno tržište stići tek 2023. ili 2024. No, uzmite u obzir da će DDR5 moduli (RDIMM/LRDIMM) od 512 GB biti limitirani na poslovno tržište i tržište servera. Obični korisnici trebali bi imati pristup UDIMM modulima kapaciteta do 64 GB.
Piše: Marijan Živković
