Pametni telefoni sve više počinju koristiti poprilično ludu količinu memorije, ponekad i do 16 GB, ali to još uvijek nije ništa naspram količine RAM-a koja se upotrebljava za stolna računala, server i HPC-ove. Memorija na tim računalima broji se u tri znamenke, ali uglavnom je ograničena količinom RAM čipova koji se mogu smjestiti u modul. Ako u jedan stick možete strpati više RAM-a, možete imati više memorije u istoj količini utora, a Samsungov novi 512 GB DDR5 DRAM modul definitivno ruši prepreke ne samo u kapacitetu ili brzini već u tehnologiji koja se koristi.
Samsungov novi RAM modul nije samo prva komponenta koja se temelji na novoj specifikaciji DDR5 kod Samsunga, već je prvi s tako velikim kapacitetom, napravljen pomoću tkzv. “High-K Metal Gate” ili skraćeno HKMG procesa. Kako se DRAM komponente sve više smanjuju, tako je sve manji i izolacijski sloj koji bi trebao spriječiti proboj električnih struja. Rješenje koje je Samsung pronašao bilo je zamijeniti uobičajeni izolator na bazi silicija s novim metalima i materijalima, što se upravo radi s HKMG procesom.
Prelazak na HKMG proces osim što nudi još veću otpornost na proboj struje, ima i druge prednosti za 512 GB DDR5 memorijski modul. Samsung je uspio smanjiti potrošnju energije za 13%, istovremeno povećavajući performanse na 7.200 MB/s, za koje je utvrđeno da su dvostruko veće od DDR4. To su iste osobine koje se traže od DRAM modula dizajniranom za energetski učinkovite podatkovne centre.
Samsungu nije stran HKMG proces, jer ga je koristio za svoju GDDR6 memoriju za grafičku karticu još 2018. godine, koja je tada bila prva u industriji. Zajedno s tkzv. tehnologijom “Through-Silicon Via” ili skraćeno TSV, koju već koristi za mnoge DRAM proizvode, Samsung se hvali da je jedini na tržištu sposoban izvesti takav podvig.
Iako je Samsungova 512 GB DDR5 memorija zasnovana na HKMG-u još uvijek u fazi provjere, nemojte se radovati previše, ova memorija neće biti dostupna potrošačima jer tvrtka umjesto toga cilja na kupce iz područja velikih industrijskih podatkovnih centara.
Piše: Z.K.
