Južnokorejska kompanija Samsung objavila je da je započela proizvodnju 3 nm čipova. Umjesto starije FinFET arhitekture, Samsung je koristio GAA tranzistorsku arhitekturu, odnosno Multi Bridge Channel FET (MBCFET). U usporedbi s 5 nm procesom, 3 nm proces može da ponudi 45% manju potrošnju energije, 23% bolje performanse, uz smanjenje površine od 16%. Za sada će se 3 nm čipovi koristiti za računalstvo visokih performansi, a kasnije će doći i na mobilne uređaje. Štoviše, već se spominje druga generacija 3 nm čipova, koja bi trebala ponuditi 50% manju potrošnju energiju, 30% bolje performanse, uz 35% manju površinu.
“Nastavit ćemo s aktivnim inovacijama u konkurentskom razvoju tehnologije i izgraditi procese koji pomažu ubrzati postizanje zrelosti tehnologije”, rekao je Siyoung Choi, predsjednik Samsung Foundryja.
Veliki uspjeh za Samsung, ali je pred kompanijom još dug put da dostigne tajvansku kompaniju TSMC, koja stvara čipove za tehnološke divove kao što su Apple, Nvidia i AMD i koja ima više od polovine tržišnog udjela. Trenutno se TSMC i Samsung natječu za ostvarivanje višegodišnjih ugovora s kompanijama kao što su Apple i Qualcomm.
Više o tome pročitajte ovdje.
Piše: Marijan Živković
