Samsungove nove kartice microSD prilagođene su novoj eri mobilnog računalstva i umjetne inteligencije na uređajima
Samsung prvi u industriji predstavlja karticu microSD SD Express od 256 GB koja postiže četiri puta veću brzinu nego trenutačno sučelje
Samsungova kartica microSD UHS-1 od 1 TB u masovnoj proizvodnji temelji se na najnovijoj tehnologiji V-NAND
SEUL, Koreja – 01. ožujka 2024. – Samsung Electronics Co., Ltd., svjetski predvodnik u tehnologiji napredne memorije danas je objavio da je počeo testirati karticu microSD[1] SD Express[2] od 256 gigabajta (GB) s brzinom sekvencijalnog čitanja do 800 megabajta u sekundi (MB/s) i da je počeo masovno proizvoditi karticu microSD[3] UHS-1 od 1 terabajta (TB). Predstavljanjem linije kartica microSD nove generacije Samsung želi ponuditi raznolika rješenja za memoriju za mobilno računalstvo i umjetnu inteligenciju na uređajima u budućnosti.
„Svojim novim karticama microSD Samsung nudi učinkovita rješenja kojima odgovara na rastuće potrebe mobilnog računalstva i umjetne inteligencije na uređajima”, rekao je Hangu Sohn, potpredsjednik tima za brendove memorija tvrtke Samsung Electronics. „Iako su sitne, memorijske kartice imaju visoke performanse slične pogonima SSD i kapacitet uz koji korisnici mogu iskoristiti sve mogućnosti zahtjevnih modernih i budućih aplikacija.”
Prva kartica microSD SD Express u industriji postiže brzinu do 800 MB/s
Prvi put u industriji Samsung predstavlja novu karticu microSD visokih performansi sa sučeljem SD Express. Razvoj je bio rezultat uspješne suradnje s kupcem na stvaranju prilagođenog proizvoda.
Budući da je Samsungova kartica microSD SD Express dizajnirana tako da troši malo energije, a tehnologija firmvera prilagođena je visokim performansama i upravljanju toplinom, ima jednake performanse kao SSD, ali u manjem formatu. Brzine čitanja tradicionalnih kartica microSD sa sučeljem UHS-1 bile su ograničene na 104 MB/s, a SD Express može postići brzinu od 985 MB/s, iako takve kartice formata microSD dosad nisu bile dostupne na tržištu.
Brzina sekvencijalnog čitanja Samsungove kartice microSD SD Express dostiže čak 800 MB/s što je 1,4 puta brže od pogona SSD SATA (do 560 MB/s) i više nego četiri puta više od tradicionalnih memorijskih kartica UHS-1 (do 200 MB/s), što omogućava bolje iskustvo rada u raznim aplikacijama, i na osobnim računalima i na mobilnim uređajima. Tehnologija Dynamic Thermal Guard (DTG) održava optimalnu temperaturu za karticu microSD SD Express, čak i tijekom dugotrajne upotrebe, za stabilan rad i pouzdanost u malom formatu.
Kartica microSD UHS-1 od 1 TB s najmodernijom tehnologijom V-NAND od 1 Tb
Samsungova nova kartica microSD od 1 TB ima osam slojeva 8. generacije tehnologije V-NAND od 1 terabita (Tb) u malom formatu kartice microSD, pa ima velik kapacitet koji je prije bio moguć samo u pogonima SSD. Nova kartica microSD od 1 TB ispunjava najzahtjevnije uvjete industrije i pouzdana je čak i u izazovnim okruženjima, uz značajke kao što su zaštita od vode i ekstremnih temperatura, otpornost na padove, zaštita od habanja te zaštita od rendgenskih zraka i magnetskih polja[1].
Dostupnost
Kartica microSD SD Express od 256 GB i kartica microSD UHS-1 od 1 TB bit će dostupne za kupnju kasnije ove godine.
[1] 1 gigabajt (GB) = 1 000 000 000 bajtova (1 milijarda bajtova). Stvarni iskoristivi kapacitet može varirati.
[2] SD Express: Sučelje nove kartice SD ima PCIe Gen3x1 (na temelju specifikacije SD 7.1 objavljene u veljači 2019.) te teoretska brzina prijenosa kartice SD Express iznosi 985 MB/s
[3] 1 terabajt (TB) = 1 000 000 000 000 bajtova (1 bilijun bajtova). Stvarni iskoristivi kapacitet može varirati.
[1] Samsung ne preuzima odgovornost za oštećenja i/ili gubitak podataka ili troškove koji nastanu zbog vraćanja podataka s memorijske kartice. Navedene zaštite odnose se samo na karticu microSD UHS-1 od 1 TB, a ne na karticu microSD SD Express od 256 GB. Dubina do 1 m, slana voda, 72 sata. Radne temperature od -25 ℃ do 85 ℃ (-13 °F do 185 °F), temperature u mirovanju od -40 ℃ do 85 ℃ (-40 °F do 185 °F). Može podnijeti rendgensko zračenje u zračnim lukama (do 100 mGy). Magnetska polja jednakovrijedna magnetskoj rezonanciji visoke razine (do 15 000 gaussa). Podnosi padove s visina do 5 m (16,4 stopa). Do 10 000 prelazaka prstom.
